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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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C.C. aos transistor de GaN do poder superior da Largo-faixa do nitreto 28V do gálio do transistor de poder de 4GHz 60W RF

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: VBE

Certificação: ISO

Número do modelo: VBE6006H

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 1pcs

Detalhes da embalagem: embalagem neutra

Tempo de entrega: 5-8 dias de trabalho

Habilidade da fonte: 10k

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Especificações
Realçar:

transistor de poder de alta frequência

,

transistor do amplificador de potência do rf

,

transistor de poder de 60W RF

Circunstância:
Novo e original
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Descrição
C.C. aos transistor de GaN do poder superior da Largo-faixa do nitreto 28V do gálio do transistor de poder de 4GHz 60W RF

C.C. aos transistor de GaN do poder superior da Largo-faixa do nitreto 28V do gálio do transistor de poder de 4GHz 60W RF 0

C.C. aos transistor de GaN do poder superior da Largo-faixa do nitreto 28V do gálio do transistor de poder de 4GHz 60W RF 1

C.C. aos transistor de GaN do poder superior da Largo-faixa do nitreto 28V do gálio do transistor de poder de 4GHz 60W RF 2

 

 

 

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