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C.C. larga de alta velocidade da faixa do transistor de poder do RF do material contínuo a 3GHz 120W

Name: C.C. larga de alta velocidade da faixa do transistor de poder do RF do material contínuo a 3GHz 120W
Brand: VBE
SKU: VBE6006H
Rating: 4.7 (109 reviews)

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: VBE

Certificação: ISO

Número do modelo: VBE6006H

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Quantidade de ordem mínima: 1pcs

Detalhes da embalagem: embalagem neutra

Tempo de entrega: 5-8 dias de trabalho

Habilidade da fonte: 10k

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Condição:

novo e original

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C.C. larga de alta velocidade da faixa do transistor de poder do RF do material contínuo a 3GHz 120W

C.C. larga de alta velocidade da faixa do transistor de poder do RF do material contínuo a 3GHz 120W 0 ‘

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